耿氏二极管的拼音及详细解释

【词语名称】耿氏二极管（gengshierjiguan）

【词语拼音】geng shi er ji guan

【词语读音】gěng shì èr jí guǎn

【词语简拼】GSEJG

【网络释义】 耿氏二极管（英语：Gunn diode，香港作耿氏二极体，台湾作甘恩二极体、刚氏二极体），或称转移电子器件（transferred electron device, TED）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域：两端是N型重掺杂区，介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时，中央薄层处的电梯度（electrical gradients，类似电化学梯度）最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高的电阻，阻止导电性的...

【分字组词】二字组词 极字组词 氏字组词 管字组词 耿字组词